Book Chapters
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  • S. Choi, S. Ham and G. Wang, "Memristor Synapses for Neuromorphic Computing" in Memristors - Circuits and Applications of Memristor Devices, IntechOpen, Fall 2019, ISBN:978-1-78984-073-5 

  • S. Choi and G. Wang, "Nanopore Structures and their applications" in 21st Century Nanoscience - A Handbook, Taylor&Francis (CRC Press), Fall 2019, ISBN:XXX-XXX

  • G. Wang, T.-W. Kim, T. Lee, W. Wang, and M. A. Reed, “Electronic Properties of Alkanethiol Molecular Junctions: Conduction Mechanisms, Metal-Molecule Contacts, and Inelastic Transport” in Comprehensive Nanoscience and Technology, edited by David Andrews, Gregory Scholes, and Gary Wiederrecht, Elsevier (Nov. 26, 2011). ISBN: 978-0-12-374396-1

  • T.-W. Kim, G. Wang, H. Song, and T. Lee, "Statistical Analysis of Electronic Transport Properties of Alkanethiol Molecular Junctions” in Nanoscale Interface for Organic Electronics”, in Nanoscale Interface for Organic Electronics edited by M. Iwamoto, Y.S. Kwon, T. Lee, World Scientific (Oct. 30, 2010). ISBN: 978-981-4322-48-5

  • G. Wang, T.-W. Kim, T. Lee, W. Wang, and M. A. Reed, “Electronic Properties of Alkanethiol Molecular Junctions: Conduction Mechanisms, Metal-Molecule Contacts, and Inelastic Transport” in Handbook of Nanoscale Optics and Electronics, edited by Gary Wiederrecht, Elsevier (Dec. 28, 2009). ISBN: 978-0-12-375178-2

Patent
  • 왕건욱 & 신재호 "유기 기본 분자와 이차원 반도체 물질의 이종접합을 기반 분자-스케일 다이오드 기술"

  • 왕건욱 & 최상현 "드롭커넥트 신경망 시스템 및 이를 이용한 학습 방법" DP-2019-0426, 10-2020-0053488

  • 왕건욱 & 최상현 "확률가변 멤리스티브 인공시냅스 소자 및 그 제조 방법" DP-2019-0425, 10-2020-0053487

  • 왕건욱,최상현,& 장성훈 "나노포러스 산화물 기반 인공시냅스 소자 및 그 제조 방법" DP-2018-0506, 10-2018-0107922, (2018.09.10) 

  • 왕건욱 & 권순방 "단일 나노 공극 구조를 이용한 산화물 기반 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조 방법" DP-2016-0920, 10-2017-0032424, 출원 (2017.04.05)

  • 허웅,장성훈,왕건욱 & 이철호 "가변 저항성을 가진 금속과 반도체 접합을 이용한 저항성 산화물 메모리 및 그 의 제조 방법" DP-2017-0383, 10-2017-0118046, 출원 (2017.09.14)

  • J. TOUR, J. YAO, G. WANG, J. LIN, K. PALEM, “ADDRESSABLE SIOx MEMORY ARRAY WITH INCORPORATED DIODES”, US Patent 20,150,162,381. (2015.06.11)

  • J. TOUR, G. WANG, Y. YANG “Porous SiOx Material for Improvement in SiOx Switching Device Performances” Invention Disclosure, Tech ID 2014-044

  • J. TOUR, G. WANG, Y. YANG, “Nanoporous Metal-Oxide Memory” US Patent 20,160,028,004. (2016.03.10)